IGBT雙脈沖測試平臺

IGBT雙脈沖測試平臺雙脈沖測試平臺主要是通過特定程序控制功率元件在可控范圍內(nèi)兩次開通，并測量過程中各種動態(tài)參數(shù)，特別是在不同母線電壓，不同溫度下參數(shù)差異，是評估 FRD 和 IGBT 二十多種動態(tài)參數(shù)重要測量手段。同時也是功率元件驅(qū)動及保護(hù)電路參數(shù)調(diào)整和驗(yàn)證的測量平臺。

產(chǎn)品型號：PT-1224
廠商性質(zhì)：代理商
更新時間：2023-12-11
訪問量：1652

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詳細(xì)介紹

品牌	其他品牌	價(jià)格區(qū)間	面議
應(yīng)用領(lǐng)域	能源,電子,交通,汽車,電氣	電壓范圍	0～1000VDC
加熱范圍	室溫～200℃	測試電流	0～2400A
負(fù)載電感	50uH100uH200uH500uH	脈寬調(diào)制范圍	5～400us
脈寬顯示屏	4 寸

IGBT雙脈沖測試平臺

主要作用

1.測試對比不同 IGBT 的參數(shù)；

2.評估驅(qū)動的功能和性能；

3.獲取 IGBT 在開通、關(guān)斷過程的主要參數(shù)，以評估 Rgon 及 Rgoff 的數(shù)值是否合適；

4.開通、關(guān)斷過程是否有不合適的震蕩；

5.評估二極管的反向恢復(fù)行為和安全余量；

6.IGBT 關(guān)斷時的電壓尖峰是否合適，關(guān)斷之后是否存在不合適的震蕩；

7.評估 IGBT 并聯(lián)的均流特性；

8.測量母排和系統(tǒng)的雜散電感。

9.可兼容 TO-252、TO263、TO-3P、TO-247、ME4、HP1、Hpdriver 等封裝；如特殊封裝可以定制開發(fā)適配版。

IGBT雙脈沖測試平臺技術(shù)參數(shù)

開通參數(shù)	關(guān)斷參數(shù)	Frd 反向恢復(fù)參數(shù)
開通最大尖峰電流 Ic peak max	關(guān)斷最大尖峰電壓 Vce-peak max	最大反向恢復(fù)電流 IRM
開通時間 Ton	關(guān)斷時間 Toff	反向恢復(fù)損耗 Erec
開通延遲 Td-on	關(guān)斷延遲 Td-off	反向恢復(fù)時間 Trr
開通電壓變化率 dv/dt-on	關(guān)斷電壓變化率 dv/dt-off	反向恢復(fù)電荷 Qrr
開通電流變化率 di/dt-on	關(guān)斷電流變化率 di/dt-off	反向恢復(fù)峰值功耗 Prr-peak
開通電壓下降時間 tf-v-on	關(guān)斷電壓上升時間 tr-v-off	前沿電流變化率 di/dt-r
開通電流上升時間 tr-i-on	關(guān)斷電流下降時間 tf-i-off	后沿電流變化率 di/dt-f
開通損耗 Eon	Ic 拖尾電流值 It	反向恢復(fù)電壓變化率 dv/dt-rr
	Ic 拖尾時間 Tt	最大反向恢復(fù)尖峰電壓 Vrr-peak
	關(guān)斷損耗 Eoff

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